Mohammed-Brahim, T.: шукати на сайті Z-Library

Рік:

2001

Файл:

PDF, 303 KB

2001

Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors

B. Tala-Ighil, H. Toutah, A. Rahal, K. Mourgues, L. Pichon, F. Raoult, O. Bonnaud, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

1998

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 1998

Stability of polysilicon thin film transistors under switch operating

H. Toutah, J.F. Llibre, B. Tala-Ighil, T. Mohammed-Brahim, K. Mourgues, Y. Helen, F. Raoult, O. Bonnaud

Журнал:

Robin, Malo, Kuai, Wenlin, Amela-Cortes, Maria, Cordier, Stéphane, Molard, Yann, Mohammed-Brahim, Tayeb, Jacques, Emmanuel, Harnois, Maxime

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 368 KB

english, 2000

Epoxy Based Ink as Versatile Material for Inkjet-Printed Devices

Журнал:

ACS Applied Materials & Interfaces

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 7.71 MB

english, 2015

Air-gap polysilicon thin film transistors on glass substrates

H Mahfoz–Kotb, A.C Salaün, T Mohammed-Brahim, N Coulon, O Bonnaud

Журнал:

Sensors and Actuators A: Physical

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 303 KB

english, 2004

Sensing sensibility of surface micromachined suspended gate polysilicon thin film transistors

H. Mahfoz-Kotb, A.C. Salaün, F. Bendriaa, F. Le Bihan, T. Mohammed-Brahim, J.R. Morante

Журнал:

Sensors and Actuators B: Chemical

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 481 KB

english, 2006

Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (

A. Saboundji, N. Coulon, A. Gorin, H. Lhermite, T. Mohammed-Brahim, M. Fonrodona, J. Bertomeu, J. Andreu

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 144 KB

english, 2005

Degradation in polysilicon thin film transistors related to the quality of the polysilicon material

H. Toutah, B. Tala-Ighil, J.F. Llibre, B. Boudart, T. Mohammed-Brahim, O. Bonnaud

Журнал:

Sensors and Actuators B: Chemical

Рік:

2003

Файл:

PDF, 951 KB

2003

Oxygen adsorption-desorption effect on the electrical properties of a-Si:H layers

M. Aoucher, T. Mohammed-Brahim, C. Bodin, D. Mencaraglia

Журнал:

Рік:

1995

Файл:

PDF, 241 KB

1995

Laser crystallization of silicon for high-performance thin-film transistors

Dassow, R, Köhler, J R, Helen, Y, Mourgues, K, Bonnaud, O, Mohammed-Brahim, T, Werner, J H

Журнал:

Semiconductor Science and Technology

Рік:

2000

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2000

Behavior of the parameters of microcrystalline silicon TFTs under mechanical strain

Janfaoui, S., Simon, C., Coulon, N., Mohammed-Brahim, T.

Журнал:

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2014

μc-Si thin film transistors with very thin active layer

Samb, M.L., Jacques, E., Belarbi, K., Coulon, N., Mohammed-Brahim, T.

Журнал:

Cirino, Giuseppe A., Granado, Renê M., Mohammed-Brahim, Tayeb, Jasinevicius, Renato G.

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 723 KB

english, 2013

Assessment of replication fidelity of optical microstructures by hot embossing

Журнал:

The International Journal of Advanced Manufacturing Technology

Рік:

2017

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.31 MB

english, 2017

Spontaneous Buckling of Multiaxially Flexible and Stretchable Interconnects Using PDMS/Fibrous Composite Substrates

Rogel, Régis, Borgne, Brice Le, Mohammed-Brahim, Tayeb, Jacques, Emmanuel, Harnois, Maxime

Журнал:

Advanced Materials Interfaces

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.98 MB

english, 2016

[IEEE 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) - Toulouse, France (2016.10.9-2016.10.12)] 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) - 13.56 MHz rectifier based on a microcrystalline silicon Schottky diodes for RFID application

Souleiman, I., Simon, C., Coulon, N., Crand, S., Mohammed-Brahim, T.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 162 KB

english, 2016

[IEEE 2016 10th International Conference on Sensing Technology (ICST) - Nanjing, China (2016.11.11-2016.11.13)] 2016 10th International Conference on Sensing Technology (ICST) - Capacitive sensor array for fingerprint recognition

Jeon, Y. E., Lee, Y. J., Jang, M. K., Seo, B. M., Kang, I. H., Hong, M. T., Lee, J. M., Jacques, E., Mohammed-Brahim, T., Bae, B. S.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 412 KB

english, 2016

Electrical conductance variation of a-Si: H films during a temperature programmed desorption

M. Aoucher, T. Mohammed-Brahim, B. Fortin, Y. Colin

Журнал:

Journal of Physics and Chemistry of Solids

Рік:

1993

Мова:

english

Файл:

PDF, 611 KB

english, 1993

Experimental analysis and 2D-simulation of C–V characteristics in Ag/poly(Si)/ITO/glass Schottky diode

M. Amrani, N. Benseddik, Z. Benamara, R. Menezla, M. Chellali, S. Tizi, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Materials Science and Engineering: B

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 359 KB

english, 2005

Phosphorus doping and deposition pressure effects on optical and electrical properties of polysilicon

M. Zaghdoudi, M.M. Abdelkrim, M. Fathallah, T. Mohammed-Brahim, R. Rogel

Журнал:

Materials Science and Engineering: C

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 152 KB

english, 2006

Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si1−xGex) deposited by DC magnetron sputtering at high rate

A. Fedala, R. Cherfi, M. Aoucher, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Materials Science in Semiconductor Processing

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 154 KB

english, 2006

1-D laser beam shaping using an adjustable binary diffractive optical element

Nicolas Passilly, Michael Fromager, Laurence Mechin, Chantal Gunther, Sylvain Eimer, Tayeb Mohammed-Brahim, Kamel Aït-Ameur

Журнал:

Optics Communications

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 778 KB

english, 2004

High polysilicon TFT field effect mobility reached thanks to slight phosphorus content in the active layer

M. Zaghdoudi, R. Rogel, N. Alzaied, M. Fathallah, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Materials Science and Engineering: C

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 495 KB

english, 2008

Realization of pressure Sensors using FET detection on a Thin Si Membrane

O. de Sagazan, E. Jacques, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Procedia Engineering

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 800 KB

english, 2010

Modeling the high pH sensitivity of Suspended Gate Field Effect Transistor (SGFET)

A.-C. Salaün, F. Le Bihan, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Sensors and Actuators B: Chemical

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 877 KB

english, 2011

Highly controllable dual-gate microcrystalline silicon thin film transistor processed at low temperature (T 

K. Kandoussi, E. Jacques, N. Coulon, C. Simon, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 429 KB

english, 2011

Solid phase post-treatment of polysilicon films by a continuous argon laser

J.F. Michaud, R. Rogel, T. Mohammed-Brahim, M. Sarret, O. Bonnaud

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 230 KB

english, 2005

Microcrystalline silicon and excimer laser crystallized silicon Thin Film Transistors on the same substratel

T. Pier, K. Kandoussi, C. Simon, N. Coulon, H. Lhermite, T. Mohammed-Brahim, J.F. Bergamini

Журнал:

Stéphanie Dauphas, Soraya Ababou-Girard, Aurélie Girard, France Le Bihan, Tayeb Mohammed-Brahim, Véronique Vié, Anne Corlu, Christiane Guguen-Guillouzo, Olivier Lavastre, Florence Geneste

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 653 KB

english, 2007

Stepwise functionalization of SiNx surfaces for covalent immobilization of antibodies

Журнал:

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2009

Comparison of the electrical behavior in the subthreshold region between laser and solid phase crystallized polysilicon thin film transistors

L. Pichon, A. Mercha, R. Carin, T. Mohammed-Brahim, O. Bonnaud, Y. Helen

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 389 KB

english, 2002

High mobility thin film transistors by Nd:YVO4-laser crystallization

Y. Helen, R. Dassow, M. Nerding, K. Mourgues, F. Raoult, J.R. Köhler, T. Mohammed-Brahim, R. Rogel, O. Bonnaud, J.H. Werner, H.P. Strunk

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 308 KB

english, 2001

Stability of unhydrogenated polysilicon thin film transistors and structural quality of the channel material

H. Toutah, B. Tala-Ighil, J.F. Llibre, A. Rahal, K. Mourgues, Y. Helen, T. Mohammed-Brahim, R. Dassow, J.R. Köhler

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 313 KB

english, 2001

Transport mechanisms in hydrogenated microcrystalline silicon

R. Brenot, R. Vanderhaghen, B. Drévillon, P. Roca i Cabarrocas, R. Rogel, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 181 KB

english, 2001

State creation under gate-bias stress in polysilicon TFTs studied from the temperature-transfer characteristics behavior

H. Toutah, J.F. Llibre, B. Tala-Ighil, B. Boudart, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 241 KB

english, 2003

Polycrystalline silicon thin films for MEMS applications

H. Mahfoz-Kotb, A.C. Salaün, T. Mohammed-Brahim, F. Le Bihan, M. El-Marssi

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 2003

Meyer–Neldel parameter as a figure of merit for quality of thin-film-transistor active layer?

L Pichon, A Mercha, J.M Routoure, R Carin, O Bonnaud, T Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 174 KB

english, 2003

Contactless electronic transport analysis of microcrystalline silicon

R Brenot, R Vanderhaghen, B Drevillon, T Mohammed-Brahim, P Roca i Cabarrocas

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 166 KB

english, 1999

State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs

B. Tala-Ighil, A. Rahal, K. Mourgues, A. Toutah, L. Pichon, T. Mohammed-Brahim, F. Raoult, O. Bonnaud

Журнал:

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 211 KB

english, 1999

Single shot excimer laser crystallization and LPCVD silicon TFTs

Y Helen, K Mourgues, F Raoult, T Mohammed-Brahim, O Bonnaud, R Rogel, S Prochasson, P Boher, D Zahorski

Журнал:

Solar Energy Materials and Solar Cells

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 248 KB

english, 1999

Study of the solid phase crystallization behavior of amorphous sputtered silicon by X-ray diffraction and electrical measurements

G Farhi, M Aoucher, T Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 210 KB

english, 2002

Deposition temperature effects on the characteristics of a-Si:H deposited by pulsed DC magnetron sputtering

R. Cherfi, A. Abdelmoumene, M. Kechouane, A. Rahal, M. Aoucher, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 637 KB

english, 2009

Defect levels in HgI2 and illumination effect

T. Mohammed-Brahim

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

1981

Мова:

english

Файл:

PDF, 312 KB

english, 1981

Characterization of Deep Energy Levels in Mercuric Iodide

T. Mohammed-Brahim, A. Friant, J. Mellet

Журнал:

physica status solidi (a)

Рік:

1983

Мова:

english

Файл:

PDF, 608 KB

english, 1983

Preface: phys. stat. sol. (c) 5/10

Norbert H. Nickel, Tayeb Mohammed-Brahim, Olivier Bonnaud

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 37 KB

english, 2008

Excimer laser annealing of microcrystalline silicon

T. Pier, K. Kandoussi, C. Simon, N. Coulon, T. Mohammed-Brahim, H. Lhermite

Журнал:

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 340 KB

english, 2008

Decreasing the thickness of the active layer of microcrystalline silicon TFTs

K. Belarbi, K. Kandoussi, I. Souleiman, C. Simon, N. Coulon, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 251 KB

english, 2010

N and P type top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (T < 200 °C) on the same glass substrate

Isman Souleiman, Khalid Kandoussi, Khaled Belarbi, Rabah Cherfi, Abdlkrim Fedala, Nathalie Coulon, Claude Simon, Tayeb Mohammed-Brahim

Журнал:

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 253 KB

english, 2010

The annealing temperature effect on the electrical properties of boron-doped hydrogenated amorphous silicon a-Si:H(B)

N. Khelifati, S. Tata, A. Rahal, R. Cherfi, A. Fedala, M. Kechouane, T. Mohammed-Brahim

Журнал:

Abdelkrim Fedala, Claude Simon, Nathalie Coulon, Tayeb Mohammed-Brahim, Mehena Abdeslam, Ahmed-Chafik Chami

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 222 KB

english, 2010

Low temperature deposition of microcrystalline silicon germanium Si1-xGex by RF-PECVD

Журнал: